同类产品
| MBR6045WTPBF | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:其他,是否进口:是,材料:MES金属半导体,种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型 |
| 30WQ04FN | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:其他,材料:GE-N-FET锗N沟道,封装外形:WAFER/裸芯片,用途:HF/高频(射频)放大,沟道类型:N沟道,种类:结型(JFET),导电方式:增强型 |
| 30WQ06FN | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:其他,是否进口:是,材料:N-FET硅N沟道,种类:结型(JFET),沟道类型:P沟道,导电方式:增强型 |
| 3KP66CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP34CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP71CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP188CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP84CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP56CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
| 3KP216CA | ST/意法 | ￥1.00/个 | 产品类型:瞬变抑制二极管,是否进口:是,材料:硅(Si),封装:R-6/P600,工作温度范围:104（℃）,功耗:3000W,针脚数:2,批号:2014 |
产品标签
三极管二极管